Транзистор — электронный компонент полупроводник для управления и усиления тока. Транзистор относится к полупроводникам, и классифицируется он на две группы — p-n-p и n-p-n. Транзисторы есть биполярные и полевые, а те в свою очередь делятся классификацией на p-n-p и n-p-n и другие. Транзисторы сегодня широко применяются в усилительных элементах и приборах, скупка транзисторов зачастую производится для разбора на детали.
Транзистор импортный — это обыкновенный полупроводниковый элемент электронной техники, служит для того что и отечественный транзистор, а отличие только в производителе, маркировке и параметрах.
В параметрах импортных транзисторов указаны следующие величины:
- Название — маркировка импортного транзистора;
- Материал — из какого материала сделан импортный транзистор;
- Структура — n-p-n или p-n-p;
- U кэ,В — напряжение коллектор — эмиттер;
- I к,А — постоянный ток коллектора;
- P к, Вт — постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
- Группа — принадлежность к группе на сайте (Технический параметр, используется только внутри сайта);
- f, МГц — частота транзистора.
При расчетах шумовых характеристик биполярных транзисторов вкладом шумовых токов в общие шумы транзисторов всегда можно пренебречь. Группа носителей тока, инжектируемых в базовую область, но возвращающихся к эмиттеру, прежде чем они попадут на коллектор или рекомбинируют в области базы, не дает вклада в постоянные токи транзистора. За счет этих носителей, как указывалось ранее, на очень высоких частотах изменяется проводимость эмиттерного перехода транзистора.
Таким образом, из всех рассмотренных источников шумов биполярного транзистора практический интерес представляют тепловые шумы сопротивления базы, дробовые шумы и шумы распределения тока коллектора, а также дробовые шумы и шумы токораспределения, протекающие в цепи базы.
Эквивалентная шумовая схема биполярного транзистора, в котором идеальный транзистор (теоретическая модель) представлен в виде четырехполюсника с подключенными к его внешним полюсам генераторами шумовых токов, эквивалентных дробовым шумам и шумам токораспределения в цепях коллектора и базы.
Тепловые шумы транзистора представлены генератором напряжения, который включен последовательно с резистором, сопротивление которого равно объемному сопротивлению полупроводника базовой области. Как и в полупроводниковом диоде, на эквивалентной схеме биполярного транзистора не учтены избыточные шумы, поскольку их вкладом в области высоких частот можно пренебречь.
В заключение отметим, что изложенный способ представления внутренних шумов в биполярном транзисторе не является единственным. Однако можно показать, что независимо от способа представления шумов, а также от различия эквивалентных шумовых схем, которые, естественно, вытекают из различных способов представления шумов, конечные результаты легко могут быть приведены к полученным выше.
Данный способ позволяет представить основные источники внутренних шумов биполярного транзистора в виде трех статистически не связанных между собой генераторов, имеющих ясный физический смысл и, как будет показано дальше, позволяющих сравнительно просто рассчитывать шумовые характеристики каскадов на биполярных транзисторах. Этим он выгодно отличается от других способов.
