В биполярных транзисторах, представляющих собой фактически два встречно соединенных полупроводниковых диода, внутренние шумы обусловлены распределенными омическими сопротивлениями полупроводника, процессами инжекции носителей через электронно-дырочные переходы, а также процессами генерации и рекомбинации носителей в объеме полупроводника и поверхностными токами утечки. При поломке радиоустройства, выгоднее будет его сдать в компанию с услугой — скупка транзисторов.
Тепловые шумы в общем случае возникают в области базы, коллектора и эмиттера. Однако на практике учитываются только шумы распределенного омического сопротивления базы, так как сопротивления коллектора и эмиттера благодаря высокой концентрации носителей малы и по сравнению с сопротивлением базы ими можно пренебречь.
Распределенное омическое сопротивление базы для удобства расчетов представляют эквивалентным ему нешумящим резистором гБ, а тепловые шумы этого сопротивления — генератором шумового напряжения. Дробовые шумы в биполярном транзисторе, как я в полупроводниковом диоде, обусловлены случайными характерами инжекции носителей тока через эмиттерный электронно-дырочный переход и генерации новых носителей в области базы.
Схематически показаны направления потоков различных групп носителей тока для так называемого идеального транзистора, из которого условно вынесено распределенное омическое сопротивление базы, а сопротивления потерь коллектора и эмиттера пренебрежимо малы.
Дробовые шумы постоянного эмиттерного тока связаны с первой группой носителей тока (дырок), инжектируемых через эмиттерный электронно-дырочный переход. Часть этих носителей пересекает коллекторный переход, создавая во внешней цепи постоянный ток коллектора.
Отметим, что при пересечении носителями коллекторного электронно-дырочного перехода дополнительные шумы в коллекторном токе практически не возникают. Это объясняется наличием на коллекторе сравнительно высокого ускоряющего напряжения, препятствующего изменению структуры коллекторного тока. Другая часть носителей тока первой группы рекомбинирует в области базы, вследствие чего во внешней цепи между базой и эмиттером возникает постоянный ток базы.