Каковы источники шумов биполярного транзистора

В биполярных транзисторах, представляющих собой фактически два встречно соединенных полупроводниковых диода, внутренние шумы обусловлены распределенными омическими сопротивлениями полупроводника, процессами инжекции носителей через электронно-дырочные переходы, а также процессами генерации и рекомбинации носителей в объеме полупроводника и поверхностными токами утечки. При поломке радиоустройства, выгоднее будет его сдать в компанию с услугой — скупка транзисторов.

Тепловые шумы в общем случае возникают в области базы, коллектора и эмиттера. Однако на практике учитываются только шумы распределенного омического сопротивления базы, так как сопротивления коллектора и эмиттера благодаря высокой концентрации носителей малы и по сравнению с сопротивлением базы ими можно пренебречь.

Распределенное омическое сопротивление базы для удобства расчетов представляют эквивалентным ему нешумящим резистором гБ, а тепловые шумы этого сопротивления — генератором шумового напряжения. Дробовые шумы в биполярном транзисторе, как я в полупроводниковом диоде, обусловлены случайными характерами инжекции носителей тока через эмиттерный электронно-дырочный переход и генерации новых носителей в области базы.

Схематически показаны направления потоков различных групп носителей тока для так называемого идеального транзистора, из которого условно вынесено распределенное омическое сопротивление базы, а сопротивления потерь коллектора и эмиттера пренебрежимо малы.

Дробовые шумы постоянного эмиттерного тока связаны с первой группой носителей тока (дырок), инжектируемых через эмиттерный электронно-дырочный переход. Часть этих носителей пересекает коллекторный переход, создавая во внешней цепи постоянный ток коллектора.

Отметим, что при пересечении носителями коллекторного электронно-дырочного перехода дополнительные шумы в коллекторном токе практически не возникают. Это объясняется наличием на коллекторе сравнительно высокого ускоряющего напряжения, препятствующего изменению структуры коллекторного тока. Другая часть носителей тока первой группы рекомбинирует в области базы, вследствие чего во внешней цепи между базой и эмиттером возникает постоянный ток базы.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.